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1. 晶圓 去除光刻膠:傳統(tǒng)的濕化學(xué)方法去除晶圓表面的光刻膠存在反應(yīng)不能精準(zhǔn)控制,清洗不徹底,容易引入雜質(zhì)等缺點(diǎn)。而作為干式方法的晶圓級(jí)封裝等離子清洗設(shè)備表面處理可控性強(qiáng),一致性好,不僅可以徹底去除光刻膠和其他有機(jī)物,而且還可以活化和粗化晶圓表面,提高晶圓表面浸潤(rùn)性。
2. 引線(xiàn)框架 銅引線(xiàn)框架:處于對(duì)性能和成本的考慮,微電子封裝領(lǐng)域目前主要采用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線(xiàn)框架。銅的氧化物與其它一些有機(jī)污染物會(huì)造成密封模塑與銅引線(xiàn)框架的分層,造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象,同時(shí)也會(huì)影響芯片的粘接和引線(xiàn)鍵合質(zhì)量,經(jīng)過(guò)晶圓級(jí)封裝等離子清洗設(shè)備表面處理銅引線(xiàn)框架,可去除有機(jī)物和氧化層,同時(shí)活化和粗化表面,確保打線(xiàn)和封裝的可靠性。
3. 引線(xiàn)鍵合 引線(xiàn)鍵合:引線(xiàn)鍵合的質(zhì)量對(duì)微電子器件的可靠性有決定性影響,鍵合區(qū)必須無(wú)污染物并具有良好的鍵合特性。污染物的存在,如氧化物、有機(jī)污染物等都會(huì)嚴(yán)重削弱引線(xiàn)鍵合的拉力值。等離子清洗設(shè)備表面處理能有效去除鍵合區(qū)的表面污染物并使其粗糙度增加,能明顯提高引線(xiàn)的鍵合拉力,極大的提高封裝器件的可靠性。
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