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普樂(lè)斯等離子清洗設(shè)備行業(yè)觀察,三星規(guī)劃利用3納米工藝制造芯片

返回列表 來(lái)源:普樂(lè)斯 瀏覽: 發(fā)布日期:2020-01-03 10:13【
文章導(dǎo)讀:普樂(lè)斯等離子清洗設(shè)備行業(yè)觀察,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),三星電子的領(lǐng)導(dǎo)人李在镕近日探討了三星將規(guī)劃首fa3nmGAA制程芯片的戰(zhàn)略規(guī)劃。
普樂(lè)斯等離子清洗設(shè)備行業(yè)觀察,該報(bào)導(dǎo)稱(chēng),李在镕參觀了三星電子地處京畿道華城的半導(dǎo)體研發(fā)中心。這也是李在镕在2020年的第1個(gè)官方行程,在此期間他聽(tīng)取了三星電子3nm制程技術(shù)報(bào)告,并且跟半導(dǎo)體部門(mén)主管探討了全新一代半導(dǎo)體戰(zhàn)略。
普樂(lè)斯等離子清洗設(shè)備行業(yè)觀察,三星規(guī)劃利用3納米工藝制造芯片
據(jù)稱(chēng),李在镕探討了三星規(guī)劃運(yùn)用正研發(fā)中的新式3nmGAA制程技術(shù)來(lái)制造尖duan晶片的規(guī)劃。GAA被認(rèn)為是當(dāng)前FinFET技術(shù)的升級(jí)版,能確保芯片制造商進(jìn)一步縮小體積。
 
去年4月三星電子完成了運(yùn)用EUV的5nmFinFET制程技術(shù)的研發(fā)?,F(xiàn)如今該公司正研究下一代制程技術(shù)。三星電子表示,與5nm制程相比,3nmGAA技術(shù)的邏輯面積效率提升了35%以上,功耗減低了50%,性能提升了約30%。
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這一舉動(dòng)也照應(yīng)三星之前所講的,將全力進(jìn)攻非DRAM與NANDFlash晶片的半導(dǎo)體市場(chǎng),在去年,三星宣布了一項(xiàng)折合高達(dá)1118.5億美元的投資計(jì)劃,目的是要讓三星可以成為世界上zui大的半導(dǎo)體芯片制造商。

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