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等離子體去除光刻膠，你了解多少？

來(lái)源：普樂(lè)斯瀏覽：次發(fā)布日期：2024-08-22 14:43【大中小】

文章導(dǎo)讀：光刻膠（Photoresist）是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺的材料，廣泛應(yīng)用于微電子器件的制造。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)光刻膠的去除要求也越來(lái)越高，等離子體去除技術(shù)因其高效、環(huán)保的特點(diǎn)逐漸成為主流選擇

光刻膠（Photoresist）是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺的材料，廣泛應(yīng)用于微電子器件的制造。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)光刻膠的去除要求也越來(lái)越高，等離子體去除技術(shù)因其高效、環(huán)保的特點(diǎn)逐漸成為主流選擇。

等離子體是一種由帶電粒子、自由電子和中性粒子組成的氣體狀態(tài)，具有良好的化學(xué)活性。在等離子體去除光刻膠的過(guò)程中，等離子體中的高能粒子與光刻膠分子發(fā)生碰撞，導(dǎo)致光刻膠的化學(xué)結(jié)構(gòu)斷裂，生成可揮發(fā)的小分子（如水、二氧化碳等），從而實(shí)現(xiàn)去除。

等離子體去除的過(guò)程
1. 準(zhǔn)備階段：將涂有光刻膠的硅片放置于等離子體反應(yīng)腔中，并對(duì)腔體進(jìn)行抽真空，以去除空氣中的雜質(zhì)。
2. 氣體引入：根據(jù)所需去除光刻膠的特性，選擇適當(dāng)?shù)臍怏w（如氧氣、氬氣、氟氣等）引入反應(yīng)腔。這些氣體在等離子體中會(huì)產(chǎn)生不同的化學(xué)反應(yīng)。
3. 等離子體產(chǎn)生：通過(guò)射頻（RF）功率或微波能量將氣體電離，形成等離子體。等離子體的溫度和密度可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)節(jié)。
4. 去除過(guò)程：在等離子體的作用下，光刻膠分子發(fā)生降解，生成的小分子氣體被抽走，最終實(shí)現(xiàn)光刻膠的去除。
5. 后處理：去除光刻膠后，硅片可能需要進(jìn)一步清洗，以確保表面潔凈，適合后續(xù)工藝。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，光刻膠的種類和應(yīng)用場(chǎng)景日益增加，等離子體去除技術(shù)在未來(lái)將發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。在先進(jìn)制程、3D封裝、MEMS以及納米技術(shù)等領(lǐng)域，等離子體去除技術(shù)都將成為必不可少的工藝之一。
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3）設(shè)備維護(hù)簡(jiǎn)單，只需進(jìn)行簡(jiǎn)單的清洗和更換
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