等離子表面處理去除光刻膠的工藝與設(shè)備
文章導(dǎo)讀：等離子表面處理是一種去除晶圓表面光刻膠的新型干式清洗方式，本文主要介紹在晶圓表面光刻膠去除上使用的等離子表面處理工藝和對(duì)應(yīng)使用到的設(shè)備。
晶圓表面光刻膠去除是晶圓制造過(guò)程的其中一個(gè)環(huán)節(jié)，是否去除徹底；是否對(duì)表面有損傷等因素，都會(huì)影響后續(xù)的工藝進(jìn)行，任何一個(gè)小缺陷都可能造成晶圓的整片報(bào)廢。傳統(tǒng)去除光刻膠選用的是濕化學(xué)方法，隨著工藝制程的不斷提高，濕化學(xué)方法的缺點(diǎn)愈發(fā)顯現(xiàn)出來(lái)，如反應(yīng)不能精準(zhǔn)控制，清洗不徹底，容易引入雜質(zhì)等。而作為干式方法的晶圓級(jí)封裝等離子表面處理可控性強(qiáng)，一致性好，不僅可以徹底去除光刻膠和其他有機(jī)物，而且還可以活化和粗化晶圓表面，提高晶圓表面浸潤(rùn)性。
等離子表面處理的工作原理：在真空狀態(tài)下，壓力越來(lái)越小，分子間間距越來(lái)越大，分子間力越來(lái)越小，利用高頻源產(chǎn)生的高壓交變電場(chǎng)將氧、氬、氫、四氟化碳等工藝氣體震蕩成具有高反應(yīng)活性或高能量的等離子體，然后與有機(jī)污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞形成揮發(fā)性物質(zhì)，然后由工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，從而達(dá)到等離子表面清潔、活化等目的。如圖所示：
普樂(lè)斯用于晶圓表面光刻膠去除的設(shè)備是晶圓級(jí)封裝等離子表面處理設(shè)備PR240L，可用于晶圓制造中的表面清潔、表面活化、光刻膠去除、植球前清洗等各種工藝。普樂(lè)斯從2011年開始涉足半導(dǎo)體行業(yè)至今已有8年，在光刻膠去除、打線即W/B前清洗和塑封即Molding前活化等工藝方面積累了較為豐富的等離子表面處理經(jīng)驗(yàn)，合作客戶接近20家，我們正努力成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的離子表面處理工藝解決方案服務(wù)商。等離子表面處理過(guò)的樣品包括：硅晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、IC載板、銅引線框架等。
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