等離子清洗機(jī)處理二氧化硅薄膜材料的過(guò)程是什么樣的？
文章導(dǎo)讀：在使用等離子清洗機(jī)的等離子工藝對(duì)材料進(jìn)行輔助處理的過(guò)程中，氣相和固體表面上發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)起到了關(guān)鍵性的作用。低溫等離子表面處理機(jī)在刻蝕二氧化硅薄膜時(shí)也是如此，等離子表面處理設(shè)備的典型反應(yīng)器中的發(fā)生過(guò)程如下圖所示。這里所標(biāo)注的通入氣體是四氟化碳和氧氣的混和物，等離子體由射頻或微波電場(chǎng)激發(fā)。
在使用等離子清洗機(jī)的等離子工藝對(duì)材料進(jìn)行輔助處理的過(guò)程中，氣相和固體表面上發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)起到了關(guān)鍵性的作用。低溫等離子表面處理機(jī)在刻蝕二氧化硅薄膜時(shí)也是如此，等離子表面處理設(shè)備的典型反應(yīng)器中的發(fā)生過(guò)程如下圖所示。這里所標(biāo)注的通入氣體是四氟化碳和氧氣的混和物，等離子體由射頻或微波電場(chǎng)激發(fā)。
電子碰撞電離過(guò)程產(chǎn)生了各種離子，如CF3+、CF2+、O2+、O-和F-等；而電子碰撞分解過(guò)程產(chǎn)生了CF3、CF2、O和F等自由基。在氣相中和在二氧化硅表面上發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)會(huì)產(chǎn)生另外一些分子，如CO、CO2、SiF2和SiF4等。這些粒子的濃度和能量分布影響著等離子表面處理機(jī)反應(yīng)器的性能指標(biāo)，如刻蝕速率、各向異性指數(shù)和選擇性等。
一些普通物理化學(xué)過(guò)程決定了這些粒子的濃度。這些過(guò)程包括電子-離子對(duì)的產(chǎn)生；自由基的產(chǎn)生；負(fù)離子的產(chǎn)生；氣相化學(xué)反應(yīng)；離子向表面的輸運(yùn)；自由基向表面的輸運(yùn)；表面相反應(yīng)。整個(gè)反應(yīng)的過(guò)程用式子可以分別表達(dá)如下。
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